光电芯片特色工艺线
工艺线概况
厂房总面积15000 ㎡ ，其中超净间面积6000 ㎡（百级区2200 ㎡，千级区3800 ㎡）。工艺线涵盖光刻、干法刻蚀、薄膜沉积、湿法工艺、异质异构集成、表征与测试等6大核心工艺，为光电芯片研发与制造提供全流程支持。
2楼超净间
千百级1200㎡
千百级1200㎡
2楼超净间（可租赁）
千百级1200㎡
千百级1200㎡
工艺线定位
以适合量产的半导体装备为基础，打造一条国际一流水准的开放的光电芯片特色工艺线，支撑科研创新与产业应用，助力光电芯片从先进研发成果向产业的快速转化。
关键技术研发
研制
实验器件测试
器件设计
验证
产品测试
关键工艺
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01
光刻
扫描式光刻
双面光刻
无掩膜光刻
电子束光刻
02
干法刻蚀
介质层刻蚀
金属层刻蚀
离子束刻蚀
深硅刻蚀
飞秒激光诱导刻蚀
03
薄膜
电子束镀膜
反映溅射
原子层沉积
介质层沉积
热处理
04
湿法工艺
湿法刻蚀
湿法清洗
电化学沉积
化学机械研磨
05
异质异构集成
TSV
TGV
W2W
D2D
D2W
06
表征与测试
Multi-SEM
XCT
XRF
TEM
FIB
AFM
XRD
07
外延沉积
GaAs
InGaAs
InGaAsP
InGaAlAs
InP
08
纳米压抑
模板制备
模板拼接
模板复制
纳米压印
09
离子注入
He⁺
H⁺
Ar⁺改性
BF₃、N₂参杂
10
掩膜版
电子束曝光
激光曝光
关键尺寸测量
应用方向
微纳光学
Ar/vr眼镜
激光雷达
隐身与光学伪装
生物芯片
疾病监测
基因工程
生物分子分析
光电异质晶圆
8”晶圆
铌酸锂薄膜晶圆
光学调制器
3D封装
AI
数据中心
5G
片上光电芯片
无人驾驶
光计算
光学陀螺仪